경북도·구미시-㈜에이프로세미콘, GaN 기반 전력반도체 생산시설 설립 투자양해각서 체결

㈜에이프로세미콘, 구미에 600억원 투자

- 반도체 특화단지 지정 후 첫 투자유치 성과
- 구미 SiC, GaN 등 전력반도체 분야 초격차 유지 총력

[일요신문] 경북도와 구미시, ㈜에이프로세미콘 간 GaN(질화갈륨) 기반 전력반도체 생산시설 설립을 위한 투자양해각서 체결식이 구미코에서 열렸다.

이 자리에는 이달희 경상북도 경제부지사, 김장호 구미시장, ㈜에이프로세미콘 임종현 대표이사 등이 함께했다.

이번 투자협약을 통해 ㈜에이프로세미콘은 2024년까지 광주 본사를 구미로 이전해 총 600억원 이상을 투자하고, 20명 이상 신규 고용을 창출해 GaN(질화갈륨) 기반의 전력반도체 에피웨이퍼를 생산, 이차전지 충·방전 장비에 먼저 공급하겠다는 계획이다.

이로써 도와 구미시는 지난 7월 '구미 반도체 첨단전략산업 특화단지' 지정 이후 처음으로 차세대 전력반도체 기술 선도기업을 유치했다.

경북도와 구미시, ㈜에이프로세미콘 간 GaN(질화갈륨) 기반 전력반도체 생산시설 설립을 위한 투자양해각서 체결식이 구미코에서 열리고 있다. 사진=경북도 제공

에피웨이퍼는 GaN 반도체 핵심 요소로 대부분 수입에 의존해 오고 있다. ㈜에이프로세미콘은 GaN 반도체 설계뿐만 아니라 2021년 국내 최초 MOCVD(8인치용 GaN 전력반도체 에피웨이퍼 생산장비)를 도입해 에피웨이퍼 생산 체계를 갖추고 반도체 위탁생산업체(파운드리)에서 요구하는 품질과 균일, 수율 등을 모두 만족시켜 GaN 전력반도체 생산성과 가격 경쟁력을 확보했다.

㈜에이프로세미콘은 이차전지 장비 기업 ㈜에이프로의 반도체 사업부가 분사해 2020년 설립한 회사로, 초기에는 에이프로 이차전지 장비의 전력반도체 내재화가 목적이었지만 최근에는 모바일, 사물인터넷(IoT), 소형 가전 등 시장 영역을 확장하고 있다.

GaN 반도체는 실리콘 반도체와 견주어 고전압·고내열성이 우수해 차세대 전력반도체 소재로 주목 받고 있다.

이번 투자를로 독일 반도체장비업체 아익스트론(Aixtron)사로부터 MOCVD 설비 2기를 들여와 2025년까지 GaN에피웨이퍼 생산능력을 연간 2만 장 규모로 확장할 계획이다.

한편 경북도는 반도체 분야 국가전략 연구·개발 수행, 반도체 전문인력 양성, 반도체 소재·부품 생태계 조성 등 반도체 분야 초격차 유지를 위해 총력을 기울이고 있다.

이달희 경북도 경제부지사는 "이번 투자는 구미의 반도체 첨단전략산업 특화단지 지정과 맞물려 구미에 글로벌 경쟁력을 갖춘 기업들이 몰려오는 마중물과 같은 투자"라며, "㈜에이프로세미콘의 전력반도체 투자로 연관 산업들의 구미 투자를 통해 반도체 생태계를 조성하겠다"고 강조했다.

최창현 대구/경북 기자 [e-mail]