삼성전자, EUV 14나노 D램 본격 양산

생산성·소비전력 20% 개선…DDR5 D램에 가장 먼저 적용

[일요신문] 삼성전자가 EUV(극자외선·Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 돌입했다고 12일 밝혔다. 

업계 최선단 14나노 D램. 사진=삼성전자 제공

5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고 수준의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상된 것이 특징이다. 소비전력도 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 커지고 있다.

삼성전자는 DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다. 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)은 “가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며 “고용량, 고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다”고 밝혔다.

허일권 기자 [e-mail]