검찰, 삼성 기술 중국으로 넘긴 10명 구속기소

“예상 피해액 수십조”…2024년 1월 국정원 정보로 수사 착수

[일요신문] 검찰이 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 기술을 중국 창신메모리(CXM)로 유출한 전 삼성전자 임원 등 10명을 구속해 재판에 넘겼다.

그래픽 = 이종현 디자이너

12월 23일 법조계 등에 따르면 서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 창신메모리 개발실장 A 씨 등 핵심 인력 5명을 산업기술보호법위반(국가핵심기술국외유출) 등으로 구속 기소했다.  파트별 개발책임자 등 나머지 5명은 불구속 기소됐다.

검찰에 따르면 창신메모리 1기 개발실장 50대 A 씨는 삼성전자 부장 출신으로, 삼성전자 연구원 출신이자 창신메모리 투자 담당인 50대 B 씨와 공모해 2016년 9월 삼성전자에서 창신메모리로 이직한 C 씨를 통해 삼성전자 국가 핵심기술인 ‘18나노 D램 공정정보’을 빼돌린 것으로 드러났다.

A 씨와 B 씨는 퇴직·내부 문제 등으로 나간 직원들을 대상으로 영입리스트를 작성했다. 이들을 비롯해 기소된 피의자들은 최고실장급의 경우 최대 30억 원의 연봉을 제시받았고, 적게는 퇴직 당시 받은 연봉의 2~4배까지 약속받았던 것으로 드러났다.

검찰은 별도의 사건인 대기업 협력업체 기술유출건을 들여다보다 2024년 1월 국가정보원 정보를 바탕으로 수사에 착수했다. 2024년 3월 검찰은 관련자들의 주거지·사무실 등을 압수수색해 유출자료를 확보해 창신메모리 자료와 삼성전자 자료의 일치율이 56.7%에서 98.2%로 오른 사실을 확인했다.

수사 과정에서 A씨는 △위장회사를 통한 입사 △인근 도시 경유 입국 △귀국시 핸드폰·USB 반납 △주기적 사무실 변경 △중국 이메일 사용 △국가정보원 상시대비 행동 지시 △출국금지·체포시 암호를 전파하는 등 수사에 철저히 대비한 것으로도 드러났다.

검찰에 따르면 유출된 기술은 삼성전자가 4년간 1조6000여억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 기술로, 예상 피해액만 수십조원이라고 한다.

김철준 기자 [e-mail]